目前，接觸式圖像傳感器大致可分為兩種，一種是使用易于制成大面積薄膜的光電變換材料，另一種則是將多集成電路線陣傳感器排成長條狀多芯片式。后者雖然性能優異。

但需要高精度的連接技術，故在提高分辨率方面，至今尚存在一些問題。就前者而言.作為薄膜光電變換材料，迄今使用了硫化鍋——硒化鎘(CdS—CdSe)，砷—硒一碲(As—穩定性，而且還無公害。要用這種非晶硅制作高速，高性能裝置的光電變換器件時，從對光具有響應特性的角度看，可采用具有阻流電極結構的層狀式器件，使用肖特基勢壘二極管，金屬——絕緣體——半導體(MIS)二極管，P—i—iq_二極管的圖像傳感器均有報道。

 

不同的器件結構具有不同的特點，如肖特基勢壘二極管的結構最簡單，MIs二極管可得到非常小的暗電流，P—i—iq_二極管具有良好的整流特性。日本日電公司光電子學研究所的板術干雄等研制了異質結二極管，該二極管結構較為簡單，易于制作，即便是在高溫時也能獲得較小的暗電流，其結構是在氧化銦錫(ITO)和非晶硅之間夾人一層P型非晶SiCx，以圖提高光電二極管的性能。有關非晶硅異質結二極管的制備工藝，日本日電公司光電子研究所已作了詳細介紹。已研制出掃描速度為0.8，讀出時問為1～1.5毫秒/線，分辨率為8位/毫米(總像素1728位)，12位/毫米(總像素2592位);16位/毫米(總像素為3456位)的無定形硅接觸式圖像傳感器。已廣泛用于傳真機和掃描儀中。